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　　1. 一般原则

　　1.1 磁场强度指标

　　(1) GB/T2887和GB50174中规定，电子计算机机房内磁场干扰环境场强不应大于800A/m。

　　注：本磁场强度是指在电流流过时产生的磁场强度，由于电流元IΔs产生的磁场强度可按下式计算：

　　H = IΔs/4πr2 (C.1)

　　距直线导体r处的磁场强度可按下式计算：

　　H = I/2πr (C.2)

　　磁场强度的单位用A/m表示，1A/m相当于自由空间的磁感应强度为1.26μT。T(特斯拉)为磁通密度B的单位。Gs是旧的磁场强度的高斯CGS单位，新旧换算中，1Gs约为79.5775A/m，即2.4Gs约为：191A/m，0.07Gs约为5.57A/m。

　　(2) GB/T17626.9中规定，可按下表规定的等级进行脉冲磁场试验：

　　C.1 脉冲磁场试验等级

　　(3) GB/T2887中规定，在存放媒体的场所，对已记录的磁带，其环境磁场强度应小于3200A/m;对未记录的磁带，其环境磁场强度应小于4000A/m。

　　1.2 信息系统电子设备的磁场强度要求

　　1971年美国通用研究公司R.D希尔的仿真试验通过建立模式得出：由于雷击电磁脉冲的干扰，对当时的计算机而言，在无屏蔽状态下，当环境磁场强度大于0.07GS时，计算机会误动作;当环境磁场强度大于2.4GS时，设备会发生永久性损坏。按新旧单位换算，2.4 GS约为191A/m，此值较1.1的(1)中800A/m低，较表C.1中3等高，较4等低。

　　注：IEC62305-4(81/238/CDV)文件中给出在适于首次雷击的磁场(25KH2)时的1000-300-100A/m值及适用于后续雷击的磁场(1MH2)时的100-30-10A/m指标。

　　1.3 磁场强度测量一般方法

　　(1)雷电流发生器法

　　IEC 62305-4提出的一个用于评估被屏蔽的建筑物内部磁场强度而作的低电平雷电电流试验的建议。

　　(2)浸入法

　　GB/T17626.9规定了在工业设施和发电厂、中压和高压变电所的在运行条件下的设备对脉冲磁场骚扰的抗扰度要求，指出其适用于评价处于脉冲磁场中的家用、商业和工业用电气和电子设备的性能。

　　(3)大环法

　　GB12190规定了屏蔽室屏蔽效能的测量方法，主要适用于各边尺寸在1.5m～15m之间的长方形屏蔽室。

　　(4)交直流高斯计法

　　GB/T 2887中5.8.2条“磁场干扰环境场强的测试”中指出可使用交直流高斯计，在计算机机房内任一点测试，并取最大值。

　　1.4 屏蔽效率的计算

　　屏蔽效率的测量一般指将规定频率的模拟信号源置于屏蔽室外时，接收装置在同一距离条件下在室外和室内接收的磁场强度之比，可用下式表示：

　　SH = 20Lg(H0/H1) (C.3)

　　式中：

　　H0 — 没有屏蔽的磁场强度

　　H1 — 有屏蔽的磁场强度

　　SH— 屏蔽效率(能)，单位为dB。

　　屏蔽效率与衰减量的对应关系参见表C.2：

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